BSB280N15NZ3GXUMA1

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

4V @ 60μA

Rise Time

6ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

21nC @ 10V

Turn Off Delay Time

16 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

1600pF @ 75V

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

3-WDSON

JESD-609 Kodu

e4

Case Connection

DRAIN

Avalanche Energy Rating Eas

120 mJ

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Halogen Free

Halogen Free

Pulsed Drain Currentmax Idm

120A

Drain Currentmax Abs Id

9A

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Power Dissipation Max

2.8W Ta 57W Tc

Terminal Formu

NO LEAD

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Dual Supply Voltage

150V

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn On Delay Time

9 ns

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Fall Time Typ

3 ns

Terminal Kaplaması

Silver/Nickel (Ag/Ni)

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drainsource On Resistancemax

0.028Ohm

Yayın Yılı

2012

Transistor Application

SWITCHING