
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.3V 10V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Avalanche Energy Rating Eas
- 520 mJ
- Contact Plating
- Tin
- Ambalaj
- Tube
- Montaj
- Surface Mount
- Vgs Max
- ±20V
- Drainsource On Resistancemax
- 0.004Ohm
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Element Configuration
- Single
- Genişlik
- 9.65mm
- Rds On Max Id Vgs
- 4m Ω @ 95A, 10V
- Continuous Drain Current Id
- 160A
- Power Dissipation Max
- 3.8W Ta 200W Tc
- Transistor Application
- SWITCHING
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Rise Time
- 270ns
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 40V
- Seri
- HEXFET®
- Terminal Sayısı
- 2
- Turn Off Delay Time
- 38 ns
- Uzunluk
- 10.67mm
- Yükseklik
- 4.83mm
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation
- 3.8W
- Vgsth Max Id
- 3V @ 250μA
- Jesd30 Code
- R-PSSO-G2
- Current Continuous Drain Id25
- 160A Tc
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 3
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 6600pF @ 25V
- Yayın Yılı
- 2010
- Kılıf / Paket
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Parça Durumu
- Obsolete
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- GULL WING
- JESD-609 Kodu
- e3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Stokta
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors

