IRLML6302GTRPBF

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

P-CHANNEL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

22 ns

Terminal Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

780mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Uzunluk

3.04mm

Rise Time

18ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Power Dissipation Max

540mW

Direnç

600mOhm

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Turn On Delay Time

13 ns

Montaj

Surface Mount

Drain Currentmax Abs Id

0.78A

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Power Dissipation

540mW

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Drain To Source Resistance

60mOhm

Rds On Max

600 mΩ

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Genişlik

1.4mm

Capacitance Input

97pF

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.02mm

Turn Off Delay Time

22 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

TO-236-3

RoHS Durumu

RoHS Compliant