Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 150 mW
- Current Drain Id Max
- 1mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Through Hole
- Input Capacitance
- 3.5 pF
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Max Power Dissipation
- 150 mW
- Yayın Yılı
- 2002
- Gate To Source Voltage Vgs
- -20 V
- Pin Sayısı
- 3
- Element Configuration
- Single
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 3.5pF @ 5V
- Akım Değeri
- 1 mA
- Voltage Breakdown Vbrgss
- 20V
- Power Max
- 150mW
- Ambalaj
- Tape & Box (TB)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Continuous Drain Current Id
- 1 mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-92-3
- Temel Parça No
- FJN598
- Parça Durumu
- Obsolete
- RoHS
- Compliant
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Fet Type
- N-Channel
- Current Drain Idss Vds Vgs0
- 100μA @ 5V
- Voltage Cutoff Vgs Off Id
- 600mV @ 1μA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55 °C
- Voltage Rating Dc
- 20 V
- Drain To Source Voltage Vdss
- 20 V
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors