ZXMN6A08KTC

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.12W Ta

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

459pF @ 40V

Yayın Yılı

2006

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Ambalaj

Cut Tape (CT)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Case Connection

DRAIN

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Drainsource On Resistancemax

0.08Ohm

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

7.9A

Rise Time

2.1ns

Uzunluk

6.73mm

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

5.8nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

no

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Current Continuous Drain Id25

5.36A Ta

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

6.22mm

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fall Time Typ

4.6 ns

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Channels

1