ZXMN3A02X8TA

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Fet Type

N-Channel

Akım Değeri

6.7A

Parça Durumu

Discontinued

Turn On Delay Time

3.9 ns

Rise Time

5.5ns

Current Continuous Drain Id25

5.3A Ta

Weight

139.989945mg

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fall Time Typ

5.5 ns

Drain Currentmax Abs Id

5.3A

Yayın Yılı

2012

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Rds On Max Id Vgs

25m Ω @ 12A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

JESD-609 Kodu

e3

Power Dissipation

1.8W

Continuous Drain Current Id

6.7A

Terminal Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

3.1mm

Yükseklik

950μm

Input Capacitance Ciss Max Vds

1400pF @ 25V

Voltage Rated Dc

30V

Genişlik

3.1mm

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

1V @ 250μA