ZVN4210ASTZ

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Power Dissipation

700mW

Montaj

Through Hole

Vgsth Max Id

2.4V @ 1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Continuous Drain Id25

450mA Ta

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Rise Time

8ns

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

1.5Ohm

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

700mW Ta

Number Of Channels

1

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yükseklik

4.95mm

Kılıf / Paket

E-Line-3

Turn On Delay Time

4 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

WIRE

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

4.95mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

100pF @ 25V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

20 ns

Fet Type

N-Channel