DMP21D0UFD-7

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

3nC @ 4.5V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Turn On Delay Time

7.1 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2011

Terminal Sayısı

3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation Max

490mW Ta

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.5V 4.5V

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Current Continuous Drain Id25

820mA Ta

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Rise Time

8ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drainsource On Resistancemax

0.495Ohm

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Fall Time Typ

18.5 ns

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

3-UDFN

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Continuous Drain Current Id

820mA

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Vgs Max

±8V

Number Of Channels

1

Fet Type

P-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active