DMN21D2UFB-7B

Teknik Özellikler

Vgs Max

±12V

Kılıf / Paket

3-UFDFN

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Power Dissipation Max

380mW Ta

Yükseklik

480μm

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

9.8 ns

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Turn On Delay Time

3.5 ns

Yayın Yılı

2012

Drain Currentmax Abs Id

0.76A

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Genişlik

675μm

Uzunluk

1.08mm

Turn Off Delay Time

19.6 ns

JESD-609 Kodu

e4

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

990m Ω @ 100mA, 4.5V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.5V 4.5V

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gate Charge Qg Max Vgs

0.93nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Ds Breakdown Voltagemin

20V