DMN2005LP4K-7

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2012

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Turn On Delay Time

4.06 ns

Vgsth Max Id

900mV @ 100μA

Montaj

Surface Mount

Power Dissipation

200mW

Uzunluk

1mm

Genişlik

600μm

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Contact Plating

Gold

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Vgs Max

±10V

Yükseklik

350μm

Power Dissipation Max

400mW Ta

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Direnç

1.5Ohm

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

200mA Ta

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Element Configuration

Single

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

200mA

Number Of Channels

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

41pF @ 3V

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260