DMG7430LFG-7

Teknik Özellikler

Yükseklik

850μm

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rds On Max Id Vgs

11m Ω @ 20A, 10V

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

26.7nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

no

Jesd30 Code

S-PDSO-N5

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

1281pF @ 15V

Vgs Max

±20V

Yayın Yılı

2012

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Turn Off Delay Time

22.3 ns

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

3.35mm

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Genişlik

3.35mm

Power Dissipation Max

900mW Ta

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Channels

1

Element Configuration

Single

Rise Time

21.2ns

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

8

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Weight

72.007789mg

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

10.5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

5

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260