BSS127S-7

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Uzunluk

3mm

Element Configuration

Single

Vgsth Max Id

4.5V @ 250μA

Contact Plating

Tin

Yayın Yılı

2013

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

50mA Ta

Continuous Drain Current Id

70mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

1

Genişlik

1.4mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

21.8pF @ 25V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

1.1mm

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

3

Rise Time

7.2ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

610mW Ta

Pin Sayısı

3

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs Max

±20V

Power Dissipation

1.25W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

0.07A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

1.08nC @ 10V

Rds On Max Id Vgs

160 Ω @ 16mA, 10V