Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maximum Drain Gate Voltage
- - 2.7 V
- Operating Frequency
- 2.7 GHz to 3.1 GHz
- Kılıf / Paket
- 440226-2
- Shipping Restrictions
- This product may require additional documentation to export from the United States.
- Montaj Stili
- Flange Mount
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Pd Power Dissipation
- 418 W
- Ambalaj
- Tray
- RoHS
- N
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Id Continuous Drain Current
- 500 mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 75 C
- Output Power
- 57.9 dBm
- Transistor Type
- HEMT
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors