Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 40 V
- Ambalaj
- Bulk
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 40 V
- RoHS
- N
- Kılıf / Paket
- TO-18-3
- Seri
- 2N4391
- Configuration
- Single
- Gatesource Cutoff Voltage
- 10 V
- Rds On Drainsource Resistance
- 30 Ohms
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 175 C
- Maximum Drain Gate Voltage
- 40 V
- Fabrika Paket Adedi
- 2000
- Id Continuous Drain Current
- 50 mA
- Montaj Stili
- Through Hole
- Pd Power Dissipation
- 1.8 W
- Drainsource Current At Vgs0
- 150 mA
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors