Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Gatesource Cutoff Voltage
- 3 V
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Configuration
- Single
- Kılıf / Paket
- TO-18-3
- Birim Ağırlık
- 0.011020 oz
- Drainsource Current At Vgs0
- 3.6 mA
- Pd Power Dissipation
- 325 mW
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Montaj Stili
- Through Hole
- Tip
- JFET
- Forward Transconductance Min
- 1.3 mS
- Ambalaj
- Bulk
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 50 V
- RoHS
- Details
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 50 V
- Transistor Polarity
- N-Channel
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors