Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pd Power Dissipation
- 350 mW
- Configuration
- Single
- Rds On Drainsource Resistance
- 250 Ohms
- Kılıf / Paket
- SOT-23
- RoHS
- Non-Compliant
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vgs Gatesource Breakdown Voltage
- 30 V
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Gatesource Cutoff Voltage
- 1 V to 4 V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 15 V
- Technology
- Si
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors