Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 100 mW
- Ambalaj
- Bulk
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 85 °C
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30 V
- Pin Sayısı
- 4
- Max Collector Current
- 30 mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30 V
- Montaj
- Chassis Mount
- Forward Current
- 50 mA
- Wavelength
- 890 nm
- Output Configuration
- Phototransistor
- RoHS
- Compliant
- Algılama Mesafesi
- 3.175 mm
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40 °C
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors