Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Rds On Drainsource Resistance
- 22 mOhms
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Id Continuous Drain Current
- 100 A
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 200 V
- Uzunluk
- 26.49 mm
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Typical Turnon Delay Time
- 16 ns
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- 4 V
- Rise Time
- 25 ns
- RoHS
- Details
- Configuration
- Single
- Channel Mode
- Enhancement
- Vgs Gatesource Voltage
- - 30 V, + 30 V
- Montaj Stili
- Through Hole
- Qg Gate Charge
- 435 nC
- Typical Turnoff Delay Time
- 48 ns
- Ambalaj
- Tube
- Number Of Channels
- 1 Channel
- Kılıf / Paket
- TO-264-3
- Genişlik
- 20.5 mm
- Yükseklik
- 5.21 mm
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Birim Ağırlık
- 0.352740 oz
- Pd Power Dissipation
- 520 W
- Tradename
- Power MOS V
- Fall Time
- 5 ns
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors