Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 8.2nC @ 10V
- Fet Type
- N-Channel
- Rds On Max Id Vgs
- 600m Ω @ 3.5A, 10V
- Montaj
- Through Hole
- Current Continuous Drain Id25
- 7A Tc
- Vgsth Max Id
- 3.9V @ 250μA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Seri
- aMOS™
- Drain To Source Voltage Vdss
- 600V
- Kılıf / Paket
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Vgs Max
- ±30V
- Ambalaj
- Tube
- Continuous Drain Current Id
- 7A
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 372pF @ 100V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Yayın Yılı
- 2010
- Number Of Elements
- 1
- Power Dissipation
- 104W
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 10V
- Power Dissipation Max
- 104W Tc
- Gate To Source Voltage Vgs
- 30V
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors