AOD11S60

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Vgs Max

±30V

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

3

Seri

aMOS™

Pulsed Drain Currentmax Idm

45A

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PSSO-G3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Power Dissipation

208W

Yayın Yılı

2011

Drainsource On Resistancemax

0.399Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

11nC @ 10V

Case Connection

DRAIN

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Rds On Max Id Vgs

399m Ω @ 3.8A, 10V

Current Continuous Drain Id25

11A Tc

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Continuous Drain Current Id

11A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

545pF @ 100V

Transistor Application

SWITCHING

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Not For New Designs