AO6409

Teknik Özellikler

Power Dissipation

2W

Gate Charge Qg Max Vgs

17.2nC @ 4.5V

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2007

Gate To Source Voltage Vgs

8V

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

45m Ω @ 5A, 4.5V

Fet Type

P-Channel

Vgs Max

±8V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

6

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Current Continuous Drain Id25

5.5A Ta

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Drain Currentmax Abs Id

5A

Drainsource On Resistancemax

0.045Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Last Time Buy

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

1450pF @ 10V

Power Dissipation Max

2.1W Ta

Continuous Drain Current Id

5.5A

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 4.5V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE