Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Elements
- 1
- Power Dissipation
- 3.1W
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 57nC @ 10V
- Yayın Yılı
- 2011
- Rds On Max Id Vgs
- 6.2m Ω @ 15A, 20V
- Configuration
- Single
- Fet Type
- P-Channel
- Vgs Max
- ±25V
- Current Continuous Drain Id25
- 17A Ta
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 3033pF @ 15V
- Vgsth Max Id
- 2.6V @ 250μA
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Continuous Drain Current Id
- 17A
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Montaj
- Surface Mount
- Power Dissipation Max
- 3.1W Ta
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Drain To Source Voltage Vdss
- 30V
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 6V 20V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors