Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Elements
- 1
- Power Dissipation
- 1.4W
- Yayın Yılı
- 2008
- Gate To Source Voltage Vgs
- 20V
- Rds On Max Id Vgs
- 1.7 Ω @ 650mA, 10V
- Configuration
- Single
- Vgs Max
- ±20V
- Fet Type
- N-Channel
- Drain Currentmax Abs Id
- 0.65A
- Current Continuous Drain Id25
- 650mA Ta
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Obsolete
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 27pF @ 30V
- Vgsth Max Id
- 2.5V @ 250μA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Continuous Drain Current Id
- 650mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Montaj
- Surface Mount
- Power Dissipation Max
- 1.4W Ta
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Drain To Source Voltage Vdss
- 60V
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 4.5V 10V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors