OPB892N55Z

Specifications

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Free Hanging

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Free Hanging

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

4

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2006

Output Configuration

Phototransistor

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Wavelength

890 nm

Radyasyon Dayanımı

No

Current Dc Forward If Max

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks