OPB891N55Z

Specifications

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Free Hanging

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Sensing Method

Through-Beam

Montaj Tipi

Free Hanging

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Yayın Yılı

2009

Output Configuration

Phototransistor

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4