OPB891L51Z

Specifications

Current Dc Forward If Max

50mA

Wavelength

890 nm

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

4

Number Of Elements

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Montaj

Chassis Mount, Screw

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam