OPB890N55Z

Specifications

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Yayın Yılı

2012

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Sensing Method

Through-Beam

Montaj Tipi

Free Hanging

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Montaj

Free Hanging

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Ambalaj

Bulk