OPB882N55Z

Specifications

Ambalaj

Bulk

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Free Hanging

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Free Hanging

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Current Dc Forward If Max

50mA

Wavelength

890 nm

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2012

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4