OPB882L51Z

Specifications

Pin Sayısı

4

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Parça Durumu

Obsolete

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2012

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Current Dc Forward If Max

50mA

Wavelength

890 nm

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Montaj

Chassis Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Ambalaj

Bulk

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)