OPB880T51Z

Specifications

Yükseklik

15.75mm

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Reverse Voltage Dc

2V

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2008

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Uzunluk

24.63mm

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Channels

1

Current Dc Forward If Max

50mA

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Sensing Method

Through-Beam

Output Current

30mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50mA

Genişlik

6.35mm

Currentcollector Ic Max

30mA

Input Current

20mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Montaj

Chassis Mount, Screw, Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Max Breakdown Voltage

30V

Tip

Unamplified

Output Voltage

30V

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Ambalaj

Bulk

Forward Voltage

1.3V

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V