OPB877L51

Specifications

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Yayın Yılı

2012

Output Configuration

Phototransistor

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Montaj

Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Forward Current

50mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

PCB Mount