OPB875N55

Specifications

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Yayın Yılı

2011

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Max Breakdown Voltage

30V

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Number Of Elements

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA