OPB871T51

Specifications

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Yayın Yılı

2012

Output Configuration

Phototransistor

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Ambalaj

Bulk

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Through Hole

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Through Hole