OPB866P51

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Montaj

Chassis Mount, Screw

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Ambalaj

Bulk

Reverse Breakdown Voltage

2V

Yayın Yılı

2012

Max Collector Current

30mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Montaj Tipi

Chassis Mount

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Wavelength

890 nm

Number Of Elements

1

Output Configuration

Phototransistor

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA