OPB865N55

Specifications

Ambalaj

Bulk

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Reverse Breakdown Voltage

2V

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Parça Durumu

Obsolete

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Output Configuration

Phototransistor

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Wavelength

880 nm

Pin Sayısı

4

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Max Breakdown Voltage

30V

Sensing Method

Through-Beam

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Max Collector Current

30mA

Current Dc Forward If Max

50mA