OPB865N51

Specifications

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Max Breakdown Voltage

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Montaj Tipi

Chassis Mount

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Output Configuration

Phototransistor

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Yayın Yılı

2012

Reverse Breakdown Voltage

2V

Kurşunsuz

Lead Free

Tip

Unamplified

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Ambalaj

Bulk