OPB862P55

Specifications

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Sensing Method

Through-Beam

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

890 nm

Pin Sayısı

4

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

RoHS

Compliant

Montaj Tipi

Chassis Mount

Parça Durumu

Obsolete

Montaj

Chassis Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Yayın Yılı

2012

Ambalaj

Bulk

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified