OPB862N55

Specifications

Yayın Yılı

2012

Ambalaj

Bulk

Tip

Unamplified

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Montaj

Chassis Mount

Touchscreen

Infrared (IR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

880 nm

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Sensing Method

Through-Beam

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA