NAND512W3A2BZA6E

Specifications

Terminal Sayısı

63

Memory Density

536870912 bit

Write Cycle Time Word Page

50ns

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

ECCN Kodu

3A991.B.1.A

Yüzey Montaj

YES

Organization

64MX8

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Standby Currentmax

0.00005A

Number Of Sectorssize

4K

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Command User Interface

YES

Terminal Adımı

0.8mm

Ambalaj

Tray

Memory Size

512Mb 64M x 8

Uzunluk

11mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Programming Voltage

3V

Memory Width

8

Qualification Status

Not Qualified

Readybusy

YES

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Temel Parça No

NAND512

Pin Sayısı

63

Data Bus Width

8b

Sector Size

16K

Access Time Max

12000 ns

Kılıf / Paket

63-VFBGA

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

HTS Kodu

8542.32.00.51

Power Supplies

3/3.3V

Memory Types

Non-Volatile

Maks. Oturma Yüksekliği

1.05mm

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Page Size

512words

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Format

FLASH