SI8650BD-B-IS

Specifications

Yayın Yılı

2000

Depth

1.25mm

Pd Power Dissipation

415 mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

2A (4 Weeks)

Screening Level

AEC-Q100

Temel Ürün No

SI8650

Yüzey Montaj

YES

Pulse Width Distortion Max

4.5ns

Development Kit

si86xxiso-kit

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Channels

5

Uzunluk

9.9mm

Pin Sayısı

16

Isolation Type

Capacitive Coupling

Propagation Delay

13 ns

Besleme Gerilimi

2.5V~5.5V

Qualification

AEC-Q100

Reverse Channels

0 Channel

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fonksiyon Sayısı

1

Isolated Power

No

Pin Sayısı

16

RoHS

Details

Ambalaj

Tube

Max Power Dissipation

415mW

Terminal Formu

GULL WING

Besleme Gerilimi

5V

Ürün Durumu

Active

Nominal Supply Current

22.1mA

Terminal Adımı

1.27mm

Inputs Side1side2

5/0

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-SOIC

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C

Fabrika Paket Adedi

46

Kılıf / Paket

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

Tip

General Purpose

Maximum Fall Time

4 ns

Isolation Voltage

5000 Vrms

Moisture Sensitive

Yes

Data Rate

150Mbps