US6M2TR

Specifications

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Akım Değeri

1.5A

Montaj

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Terminal

SMD/SMT

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Max Power Dissipation

1W

Pin Sayısı

6

Threshold Voltage

1.5V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Turn Off Delay Time

25 ns

Rds On Max Id Vgs

240m Ω @ 1.5A, 4.5V

Terminal Sayısı

6

Nominal Vgs

1.5 V

Continuous Drain Current Id

1A

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Voltage Vdss

30V 20V

JESD-609 Kodu

e2

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Vgsth Max Id

1.5V @ 1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2001

Direnç

340MOhm

Fet Feature

Standard

Temel Parça No

*M2

Power Dissipation

1W

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Dual Supply Voltage

30V

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Type

N and P-Channel