US6K1TR

Specifications

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Turn On Delay Time

7 ns

Direnç

340MOhm

Fet Feature

Logic Level Gate

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Vgsth Max Id

1.5V @ 1mA

Parça Durumu

Active

Montaj

Surface Mount

Akım Değeri

1.5A

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Number Of Elements

2

Power Dissipation

1W

Temel Parça No

*K1

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

1W

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Rise Time

9ns

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

240m Ω @ 1.5A, 4.5V

Turn Off Delay Time

15 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

80pF @ 10V

Transistor Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Continuous Drain Current Id

1.5A

Fall Time Typ

6 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Application

SWITCHING

Threshold Voltage

1.5V

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge Qg Max Vgs

2.2nC @ 4.5V