UMA1NTR

Specifications

Hfemin

56

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

22k Ω

Voltage Rated Dc

-50V

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Akım Değeri

-100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 5mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Max Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Sayısı

5

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vcesatmax

0.3 V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Formu

GULL WING

Frequency Transition

250MHz

Polarity

PNP

Transistor Application

AMPLIFIER

Radyasyon Dayanımı

No

Max Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Yayın Yılı

2012

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Collector Current

-100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Pin Sayısı

5