UM6J1NTN

Specifications

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fall Time Typ

40 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Continuous Drain Current Id

200mA

Input Capacitance Ciss Max Vds

30pF @ 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

5ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

1.4 Ω @ 200mA, 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Fet Feature

Logic Level Gate

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Temel Parça No

*J1

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Pin Sayısı

6

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Turn Off Delay Time

30 ns

Max Power Dissipation

150mW

Transistor Element Material

SILICON