SP8M6TB

Specifications

Parça Durumu

Discontinued

Montaj Tipi

Surface Mount

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Akım Değeri

5A

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

51m Ω @ 5A, 10V

Max Power Dissipation

2W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e2

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Temel Parça No

*M6

Terminal Sayısı

8

Fet Type

N and P-Channel

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

3.9nC @ 5V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Pin Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Input Capacitance Ciss Max Vds

230pF @ 10V

Rise Time

15ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

8

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Number Of Elements

2

Continuous Drain Current Id

3.5A

Transistor Element Material

SILICON

Current Continuous Drain Id25

5A 3.5A

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Terminal Pozisyonu

DUAL

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Voltage Vdss

30V