QS6Z5TR

Specifications

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

Yayın Yılı

2016

Collector Emitter Voltage Vceo

350mV

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Max Collector Current

1A

Current Collector Cutoff Max

1μA ICBO

Max Breakdown Voltage

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 50mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA

Power Max

1.25W

Transistor Type

NPN, PNP

Transistor Element Material

SILICON

Frequency Transition

360MHz 400MHz

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

360MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

2

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Cut Tape (CT)

JESD-609 Kodu

e1

Max Power Dissipation

1.25W

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS