IMT18T110

Specifications

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

JESD-609 Kodu

e1

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

260MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 10mA 2V

Collector Emitter Voltage Vceo

12V

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

500mA

Number Of Elements

2

HTS Kodu

8541.21.00.75

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

15V

Montaj

Surface Mount

Gain Bandwidth Product

260MHz

Parça Durumu

Active

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2010

Currentcollector Ic Max

500mA