IMD10AT108

Specifications

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Max Power Dissipation

300mW

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA

Continuous Collector Current

-500mA

Max Collector Current

500mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Polarity

NPN, PNP

Frequency Transition

250MHz 200MHz

Uzunluk

2.9mm

Current Collector Cutoff Max

500nA

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Power Dissipation

300mW

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Yayın Yılı

2005

Max Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Pin Sayısı

74

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Resistor Base R1

10k Ω, 100 Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Genişlik

1.6mm

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99