EMY1T2R

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Gain Bandwidth Product

180MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2004

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

5

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

150mA

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Element Configuration

Dual

Frequency Transition

180MHz 140MHz

Terminal Sayısı

5

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Transistor Type

NPN, PNP (Emitter Coupled)

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Hfemin

120

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Max Collector Current

150mA

Transition Frequency

180MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

NPN, PNP

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

*MY1