EMF32T2R

Specifications

Number Of Elements

1

Drain Currentmax Abs Id

0.1A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Collector Currentmax Ic

0.1A

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Current Rating Amps

100mA PNP 100mA N-Channel

Applications

General Purpose

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Dc Current Gainmin Hfe

100

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

TIN/TIN COPPER

Akım Değeri

100mA

Nominal Gerilim

50V PNP 30V N Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Not For New Designs

Drainsource On Resistancemax

8Ohm

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Power Dissipationmax Abs

0.15W

Configuration

SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature Max

150°C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3/e2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

PNP Pre-Biased, N-Channel

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2004